分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IXFT18N100Q3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IXFT18N100Q3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IXFT18N100Q3 IXYS MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268 10 1:$15.75000
10:$14.32000
100:$12.17200
250:$11.09800
500:$10.38200
1,000:$9.52280
2,500:$9.12900
5,000:$8.87840
10,000:$8.59200
IXFR32N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 18A ISOPLUS247 0 30:$15.63267
IXFT18N100Q3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 1000V（1kV）
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 660 毫歐 @ 9A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 6.5V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 4890pF @ 25V
功率 - 最大: 830W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-268
包裝: 管件