分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IXTA3N100P品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
IXTA3N100P 品牌、價(jià)格
元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
IXTA3N100P |
IXYS |
MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263 |
0 |
200:$2.41900
|
IXTD5N100A |
IXYS |
MOSFET N-CH 1000V 5A DIE |
0 |
31:$12.02516
|
IXTP160N04T2 |
IXYS |
MOSFET N-CH 40V 160A TO-220 |
0 |
250:$1.95000
|
IXFR12N120P |
IXYS |
MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247 |
0 |
60:$11.84000
|
IXTP120N075T2 |
IXYS |
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220 |
0 |
250:$1.95000
|
IXFK420N10T |
IXYS |
MOSFET N-CH 100V 420A TO-264 |
0 |
50:$11.80300
|
IXTA300N04T2-7 |
IXYS |
MOSFET N-CH 40V 300A TO-263 |
0 |
150:$3.58753
|
IXTA3N100P PDF參數(shù)
類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
|
FET 型: |
MOSFET N 通道,金屬氧化物
|
FET 特點(diǎn): |
標(biāo)準(zhǔn)
|
漏極至源極電壓(Vdss): |
1000V(1kV)
|
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
3A
|
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: |
4.8 歐姆 @ 1.5A,10V
|
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): |
4.5V @ 250µA
|
閘電荷(Qg) @ Vgs: |
39nC @ 10V
|
輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
1100pF @ 25V
|
功率 - 最大: |
125W
|
安裝類型: |
表面貼裝
|
封裝/外殼: |
TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
|
供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
TO-263
|
包裝: |
管件
|