分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IXTA3N100P品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IXTA3N100P • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IXTA3N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 3A TO-263 0 200:$2.41900
IXTD5N100A IXYS MOSFET N-CH 1000V 5A DIE 0 31:$12.02516
IXTP160N04T2 IXYS MOSFET N-CH 40V 160A TO-220 0 250:$1.95000
IXFR12N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247 0 60:$11.84000
IXTP120N075T2 IXYS MOSFET N-CH 75V 120A TO-220 0 250:$1.95000
IXFK420N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 420A TO-264 0 50:$11.80300
IXTA300N04T2-7 IXYS MOSFET N-CH 40V 300A TO-263 0 150:$3.58753
IXTA3N100P • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 1000V(1kV)
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.8 歐姆 @ 1.5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 39nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 25V
功率 - 最大: 125W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-263
包裝: 管件