分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IXTP08N100P品牌、價格、PDF參數(shù)

IXTP08N100P • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IXTP08N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220 0 350:$1.26000
IXTP08N100P • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 1000V(1kV)
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 800mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 20 歐姆 @ 500mA,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 240pF @ 25V
功率 - 最大: 42W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-220
包裝: 管件