| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IXTP2N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 2A TO-220 | 0 | 250:$1.70000 |
| 類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 1000V（1kV） |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 2A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 7.5 歐姆 @ 500mA，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4.5V @ 100µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 24.3nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 655pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 86W |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-220-3 |
| 供應商設備封裝: | TO-220 |
| 包裝: | 管件 |