分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSP129E6327T品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
BSP129E6327T • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| BSP129E6327T |
Infineon Technologies |
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 |
0 |
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BSP129E6327T • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
耗盡模式
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
240V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
350mA
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
6 歐姆 @ 350mA，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
1V @ 108µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
5.7nC @ 5V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
108pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
1.8W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
TO-261-4，TO-261AA
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
PG-SOT223-4
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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