分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 RQ1E050RPTR品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

RQ1E050RPTR • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
RQ1E050RPTR Rohm Semiconductor MOSFET P-CH 30V 5A TSMT8 0 3,000:$0.31465
RQ1E050RPTR • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 31 毫歐 @ 5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1300pF @ 10V
功率 - 最大: 1.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TSMT8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TSMT8
包裝: 帶卷 (TR)