分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIHB30N60E-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIHB30N60E-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIHB30N60E-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK 1,000 1:$6.10000
25:$4.90520
100:$4.46900
250:$4.03300
500:$3.61880
1,000:$3.05200
2,500:$2.89940
5,000:$2.77950
SIHB30N60E-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 29A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 125 毫歐 @ 15A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 130nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2600pF @ 100V
功率 - 最大: 250W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D²PAK
包裝: 管件
電子產(chǎn)品資料
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