分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIE812DF-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
SIE812DF-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| SIE812DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 40V POLARPAK |
0 |
3,000:$1.64920
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| SQM110N08-05-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 75V TO263 |
0 |
800:$1.60350
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SIE812DF-T1-GE3 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
40V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
60A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
2.6 毫歐 @ 25A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: |
3V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
170nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
8300pF @ 20V
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| 功率 - 最大: |
125W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
10-PolarPAK?（L）
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
10-PolarPAK?（L）
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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