| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| SIHB12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N CH 600V 12A TO263 | 0 | 1:$2.08000 25:$1.67520 100:$1.50750 250:$1.34000 500:$1.17250 1,000:$0.97150 2,500:$0.90450 5,000:$0.87100 |
| SUP40N10-30-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 100V TO220AB | 0 | 500:$1.62750 |
| SQD40N10-25-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 100V 40A TO252 | 0 | 2,000:$1.67580 |
| SQD25N15-52-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 25A TO252 | 0 | 2,000:$1.67580 |
| 類別: | 分離式半導體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 12A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 380 毫歐 @ 6A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 58nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 937pF @ 100V |
| 功率 - 最大: | 147W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商設備封裝: | D2PAK |
| 包裝: | 散裝 |