分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 FDB3652_F085品牌、價格、PDF參數(shù)

FDB3652_F085 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
FDB3652_F085 Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK 0
FDB3652_F085 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 61A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 16 毫歐 @ 61A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 53nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2880pF @ 25V
功率 - 最大: 150W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D²PAK
包裝: 帶卷 (TR)
電子產(chǎn)品資料
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