元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
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CSD25303W1015 | Texas Instruments | MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA | 0 | 1:$1.02000 10:$0.89200 25:$0.78800 100:$0.68670 250:$0.59776 500:$0.50882 1,000:$0.40755 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 特點: | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 3A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 58 毫歐 @ 1.5A,4.5V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 1V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 4.3nC @ 4.5V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 435pF @ 10V |
功率 - 最大: | 1.5W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 6-UFBGA,DSBGA |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 6-DSBGA(1x1.5) |
包裝: | 剪切帶 (CT) |