分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SQD50N06-07L-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)
SQD50N06-07L-GE3 • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價格 |
| SQD50N06-07L-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 60V 50A TO252 |
0 |
2,000:$1.72900
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| SI4886DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC |
0 |
2,500:$1.71570
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SQD50N06-07L-GE3 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
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| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門
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| 漏極至源極電壓(Vdss): |
60V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
50A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
7.6 毫歐 @ 20A，10V
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| Id 時的 Vgs(th)（最大）: |
2.5V @ 250µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
120nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
5570pF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
136W
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| 安裝類型: |
表面貼裝
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| 封裝/外殼: |
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
TO-252，（D-Pak）
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| 包裝: |
帶卷 (TR)
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