分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IRL640STRRPBF品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IRL640STRRPBF • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IRL640STRRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK 0 800:$1.09305
IRL640STRRPBF • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 17A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 180 毫歐 @ 10A,5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 66nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1800pF @ 25V
功率 - 最大: 3.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D2PAK
包裝: 帶卷 (TR)