分離式半導體產(chǎn)品 SI6413DQ-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI6413DQ-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI6413DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP 0 3,000:$0.93150
SIRA00DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 60A SO8 PWR PK 0 1:$2.38000
25:$1.83600
100:$1.66600
250:$1.49600
500:$1.29200
1,000:$1.08800
SI6413DQ-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 7.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 10 毫歐 @ 8.8A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 800mV @ 400µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 105nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.05W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應商設(shè)備封裝: 8-TSSOP
包裝: 帶卷 (TR)