分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SUM60N02-3M9P-E3品牌、價格、PDF參數(shù)
SUM60N02-3M9P-E3 • 品牌、價格
| 元器件型號 |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價格 |
| SUM60N02-3M9P-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 20V D2PAK |
0 |
800:$1.52550
|
| SUD25N15-52-T4-E3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 150V TO252 |
0 |
2,000:$1.52019
|
| SI4448DY-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC |
0 |
2,500:$1.51620
|
| SIE816DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 60V POLARPAK |
0 |
3,000:$1.90190
|
| SIE808DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK |
0 |
3,000:$1.90190
|
| SIE806DF-T1-GE3 |
Vishay Siliconix |
MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK |
0 |
3,000:$1.90190
|
SUM60N02-3M9P-E3 • PDF參數(shù)
| 類別: |
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
|
| FET 型: |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
|
| FET 特點(diǎn): |
邏輯電平門
|
| 漏極至源極電壓(Vdss): |
20V
|
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: |
60A
|
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: |
3.9 毫歐 @ 20A，10V
|
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: |
3V @ 250µA
|
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: |
50nC @ 4.5V
|
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: |
5950pF @ 10V
|
| 功率 - 最大: |
3.75W
|
| 安裝類型: |
表面貼裝
|
| 封裝/外殼: |
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
|
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
TO-263（D2Pak）
|
| 包裝: |
帶卷 (TR)
|