分離式半導體產(chǎn)品 SIA418DJ-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIA418DJ-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SIA418DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6 0 1:$0.50000
25:$0.34640
100:$0.29700
250:$0.25652
500:$0.22050
1,000:$0.17100
IRF9Z24STRRPBF Vishay Siliconix MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK 0 800:$0.79514
SI7404DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 1212-8 0 3,000:$0.76950
SI7846DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 150V PPAK 8SOIC 0 3,000:$0.79110
SIA418DJ-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 12A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 18 毫歐 @ 9A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 2.4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 17nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 570pF @ 15V
功率 - 最大: 19W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SC-70-6
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SC-70-6 單
包裝: Digi-Reel®