| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| IRFBE30STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK | 0 | 800:$1.92750 |
| SIE726DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK | 0 | 1:$4.29000 25:$3.50360 100:$3.14600 250:$2.86000 500:$2.50250 1,000:$2.14500 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 800V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 4.1A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 3 歐姆 @ 2.5A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 4V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 78nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1300pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 125W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | D2PAK |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |