| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| SI4642DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.50260 |
| SIHD5N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK | 25 | 1:$1.36000 25:$1.07480 100:$0.96710 250:$0.84176 500:$0.75222 1,000:$0.59103 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 34A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 3.75 毫歐 @ 20A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 3V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 110nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 5540pF @ 15V |
| 功率 - 最大: | 7.8W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 8-SOICN |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |