元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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SI1442DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 12V D-S SOT-363 | 0 | 3,000:$0.09486 6,000:$0.08959 15,000:$0.08169 30,000:$0.07642 75,000:$0.06851 150,000:$0.06588 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 12V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 4A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 20 毫歐 @ 6A. 4.5V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 1V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 33nC @ 8V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1010pF @ 6V |
功率 - 最大: | 2.8W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | SC-70-6 |
包裝: | 帶卷 (TR) |