分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPP032N06N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPP032N06N3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPP032N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 460 1:$2.71000
10:$2.45100
25:$2.18800
100:$1.96920
250:$1.75040
500:$1.53160
1,000:$1.26904
2,500:$1.18152
5,000:$1.13776
IPP032N06N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 120A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.2 毫歐 @ 100A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 4V @ 118µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 165nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 13000pF @ 30V
功率 - 最大: 188W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-220-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO220-3
包裝: 管件
電子產(chǎn)品資料
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