元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
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SI4384DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.41860 |
SI4833ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC | 0 | 2,500:$0.40600 |
SQ3460EV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP | 750 | 1:$0.79000 25:$0.55440 100:$0.47520 250:$0.41040 500:$0.35280 1,000:$0.27360 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點: | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 10A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 8.5 毫歐 @ 15A,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 3V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 18nC @ 4.5V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | - |
功率 - 最大: | 1.47W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 8-SOICN |
包裝: | 帶卷 (TR) |