分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI4384DY-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SI4384DY-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SI4384DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC 0 2,500:$0.41860
SI4833ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC 0 2,500:$0.40600
SQ3460EV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP 750 1:$0.79000
25:$0.55440
100:$0.47520
250:$0.41040
500:$0.35280
1,000:$0.27360
SI4384DY-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 10A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 8.5 毫歐 @ 15A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 1.47W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)
電子產(chǎn)品資料
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