分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIRA12DP-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIRA12DP-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIRA12DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 25A SO8 PWR PK 0 1:$1.06000
25:$0.84000
100:$0.75600
250:$0.65800
500:$0.58800
1,000:$0.46200
SIRA12DP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 25A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.3 毫歐 @ 10A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 45nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2070pF @ 15V
功率 - 最大: 31W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: Digi-Reel®