分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIR698DP-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIR698DP-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIR698DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CHAN 100V(D-S)POWERPAK 0 3,000:$0.52920
6,000:$0.50274
15,000:$0.48195
30,000:$0.46872
75,000:$0.45360
SIR698DP-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 7.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 195 毫歐 @ 2.5A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 3.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 8nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 210pF @ 50V
功率 - 最大: 23W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SO-8
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SO-8
包裝: 帶卷 (TR)
電子產(chǎn)品資料
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