分離式半導體產(chǎn)品 PSMN4R0-30YL,115品牌、價格、PDF參數(shù)

PSMN4R0-30YL,115 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
PSMN4R0-30YL,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 30V 100A SOT669 2,437 1:$0.97000
10:$0.85700
25:$0.77400
100:$0.67740
250:$0.59404
500:$0.52684
BUK662R5-30C,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH TRENCH D2PACK 4,000 800:$1.01230
1,600:$0.92901
2,400:$0.86495
5,600:$0.83291
20,000:$0.80088
40,000:$0.78806
80,000:$0.76884
PSMN4R0-30YL,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 30V 100A SOT669 1,500 1,500:$0.40320
3,000:$0.37632
7,500:$0.35750
10,500:$0.34406
37,500:$0.33331
75,000:$0.32256
PSMN4R0-30YL,115 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 100A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 2.15V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 36.6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2090pF @ 12V
功率 - 最大: 69W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SC-100，SOT-669，4-LFPAK
供應商設(shè)備封裝: LFPAK，Power-SO8
包裝: 剪切帶 (CT)