| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| IRLHM630TR2PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | 1,243 | 1:$2.13000 10:$1.38200 25:$1.25560 50:$1.12960 100:$1.05740 |
| IRLHM630TR2PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | 1,200 | 400:$0.90788 800:$0.85063 1,200:$0.81393 2,800:$0.78224 10,000:$0.71886 40,000:$0.69495 |
| 類(lèi)別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門(mén) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 21A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 3.5 毫歐 @ 20A，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 1.1V @ 50µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 62nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 3170pF @ 25V |
| 功率 - 最大: | 2.7W |
| 安裝類(lèi)型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-VQFN 裸露焊盤(pán) |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PQFN（3x3） |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |