分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 PSMN1R3-30YL,115品牌、價格、PDF參數(shù)

PSMN1R3-30YL,115 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
PSMN1R3-30YL,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK 1,500 1,500:$0.66103
BUK664R6-40C,118 NXP Semiconductors MOSFET N-CH TRENCH D2PACK 4,000 800:$0.81023
1,600:$0.74356
2,400:$0.69228
5,600:$0.66664
20,000:$0.64100
40,000:$0.63074
80,000:$0.61536
BSS192,115 NXP Semiconductors MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89 6,207 1:$0.70000
10:$0.61400
25:$0.54240
100:$0.47260
250:$0.41140
500:$0.35020
BSS192,115 NXP Semiconductors MOSFET P-CH 240V 0.2A SOT89 6,207 1:$0.70000
10:$0.61400
25:$0.54240
100:$0.47260
250:$0.41140
500:$0.35020
PSMN1R3-30YL,115 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 100A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 1.3 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 2.15V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 6227pF @ 12V
功率 - 最大: 121W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT1023，4-LFPAK
供應(yīng)商設(shè)備封裝: LFPAK，Power-SO8
包裝: 帶卷 (TR)