分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 2N7002PW,115品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

2N7002PW,115 • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
2N7002PW,115 NXP Semiconductors MOSFET N-CH SGL 60V SOT-323 10,251 1:$0.33000
10:$0.29600
25:$0.21320
100:$0.16580
250:$0.10420
500:$0.08878
1,000:$0.06049
PSMN4R3-30BL,118 NXP Semiconductors MOSFET N CH 30V 100A D2PAK 276 1:$1.17000
10:$1.03500
25:$0.93400
100:$0.81720
250:$0.71672
PSMN4R3-30BL,118 NXP Semiconductors MOSFET N CH 30V 100A D2PAK 276 1:$1.17000
10:$1.03500
25:$0.93400
100:$0.81720
250:$0.71672
PSMN4R3-30BL,118 NXP Semiconductors MOSFET N CH 30V 100A D2PAK 0 800:$0.53834
1,600:$0.48645
2,400:$0.45402
5,600:$0.43132
20,000:$0.41510
40,000:$0.40213
80,000:$0.38916
2N7002PW,115 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 310mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 1.6 歐姆 @ 500mA,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 0.8nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 50pF @ 10V
功率 - 最大: 260mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SC-70,SOT-323
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SC-70
包裝: 剪切帶 (CT)
電子產(chǎn)品資料
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