| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| SUD50N10-18P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V DPAK | 7,839 | 1:$3.15000 25:$2.57240 100:$2.31000 250:$2.10000 500:$1.83750 1,000:$1.57500 |
| SUD50N10-18P-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V DPAK | 6,000 | 2,000:$1.39650 6,000:$1.33875 10,000:$1.30200 50,000:$1.26000 |
| SI4463BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC | 459 | 1:$1.46000 25:$1.14920 100:$1.03410 250:$0.90004 500:$0.80430 1,000:$0.63195 |
| SI4463BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC | 459 | 1:$1.46000 25:$1.14920 100:$1.03410 250:$0.90004 500:$0.80430 1,000:$0.63195 |
| 類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn): | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 50A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 18.5 毫歐 @ 15A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 5V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 75nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 2600pF @ 50V |
| 功率 - 最大: | 2.5W |
| 安裝類型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | TO-252，（D-Pak） |
| 包裝: | 剪切帶 (CT) |