分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI1302DL-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI1302DL-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI1302DL-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 30V SC-70-3 0 3,000:$0.14725
6,000:$0.13775
15,000:$0.12825
30,000:$0.12113
75,000:$0.11875
150,000:$0.11400
SI7143DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 8-SOIC 5,066 1:$1.52000
25:$1.20000
100:$1.08000
250:$0.94000
500:$0.84000
1,000:$0.66000
SI7143DP-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 8-SOIC 3,000 3,000:$0.56000
6,000:$0.53200
15,000:$0.51000
30,000:$0.49600
75,000:$0.48000
SI1302DL-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 600mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 480 毫歐 @ 600mA，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: -
功率 - 最大: 280mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SC-70，SOT-323
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SC-70-3
包裝: 帶卷 (TR)