分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPB021N06N3 G品牌、價格、PDF參數(shù)

IPB021N06N3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
IPB021N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3 1,799 1:$4.19000
10:$3.77400
25:$3.42440
100:$3.07490
250:$2.79540
500:$2.44598
IPI076N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3 500 1:$3.06000
10:$2.73600
25:$2.46200
100:$2.24330
250:$2.02444
500:$1.81654
1,000:$1.53202
2,500:$1.45542
5,000:$1.39523
IPB600N25N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 25A TO263-3 1,000 1,000:$1.26092
2,000:$1.17396
5,000:$1.13048
10,000:$1.08700
25,000:$1.06526
50,000:$1.04352
IPB021N06N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 120A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 2.1 毫歐 @ 100A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 196µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 275nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 23000pF @ 30V
功率 - 最大: 250W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO263-2
包裝: 剪切帶 (CT)