分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IPB097N08N3 G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IPB097N08N3 G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IPB097N08N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 80V 70A TO263-3 1,000 1,000:$0.72906
2,000:$0.67878
5,000:$0.65364
10,000:$0.62850
25,000:$0.61593
50,000:$0.60336
IPB097N08N3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓(Vdss): 80V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 70A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 9.7 毫歐 @ 46A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 3.5V @ 46µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 35nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 2410pF @ 40V
功率 - 最大: 100W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TO263-2
包裝: 帶卷 (TR)
電子產(chǎn)品資料
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