元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價格 |
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BSB044N08NN3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 | 9,480 | 1:$3.43000 10:$3.08400 25:$2.79880 100:$2.51310 250:$2.28460 500:$1.99902 1,000:$1.71345 2,500:$1.62778 |
BSB044N08NN3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2 | 5,000 | 5,000:$1.45643 10,000:$1.41645 25,000:$1.37076 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點: | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 80V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 90A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 4.4 毫歐 @ 30A,10V |
Id 時的 Vgs(th)(最大): | 3.5V @ 97µ |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 73nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 5700pF @ 40V |
功率 - 最大: | 78W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 3-WDSON |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | MG-WDSON-2,CanPAK M? |
包裝: | Digi-Reel® |