元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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BSS205N H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 | 6,000 | 3,000:$0.09270 6,000:$0.08755 15,000:$0.07983 30,000:$0.07468 75,000:$0.06695 150,000:$0.06438 |
BSZ060NE2LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8 | 9,978 | 1:$1.20000 10:$1.07300 25:$0.94720 100:$0.85240 250:$0.74188 500:$0.66298 1,000:$0.52091 2,500:$0.48934 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 2.5A |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 50 毫歐 @ 2.5A,4.5V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 1.2V @ 11µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 3.2nC @ 4.5V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 419pF @ 10V |
功率 - 最大: | 500mW |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-SOT23-3 |
包裝: | 帶卷 (TR) |