分離式半導體產品 BSZ16DN25NS3 G品牌、價格、PDF參數(shù)

BSZ16DN25NS3 G • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
BSZ16DN25NS3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON 8,796 1:$2.43000
10:$2.08100
25:$1.87240
100:$1.69910
250:$1.52572
500:$1.31766
1,000:$1.10960
2,500:$1.00558
IPD110N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3 2,500 2,500:$0.89680
5,000:$0.86359
12,500:$0.83038
25,000:$0.81377
62,500:$0.79716
BSZ16DN25NS3 G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 10.9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 165 毫歐 @ 5.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 4V @ 32µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 11.4nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 920pF @ 100V
功率 - 最大: 62.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
供應商設備封裝: -
包裝: 剪切帶 (CT)