分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 FDD86113LZ品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

FDD86113LZ • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
FDD86113LZ Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3 2,500 2,500:$0.51800
5,000:$0.49210
12,500:$0.47360
25,000:$0.45880
62,500:$0.44400
FDD5N50NZFTM Fairchild Semiconductor MOSFET N-CH 500V DPAK 2,499 1:$1.19000
10:$1.05000
25:$0.94760
100:$0.82910
250:$0.72708
500:$0.64484
1,000:$0.50995
FDD86113LZ • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 104 毫歐 @ 4.2A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 285pF @ 50V
功率 - 最大: 3.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝: TO-252-3
包裝: 帶卷 (TR)