元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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BSZ0902NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 | 5,000 | 5,000:$0.63707 10,000:$0.61073 25,000:$0.59396 50,000:$0.57480 |
BSC0902NSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | 9,667 | 1:$1.82000 10:$1.62900 25:$1.43720 100:$1.29330 250:$1.12564 500:$1.00590 1,000:$0.79035 2,500:$0.74245 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門 |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 21A |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 2.8 毫歐 @ 30A,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 2V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 24nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1500pF @ 15V |
功率 - 最大: | 2.5W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 8-PowerTDFN |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) |
包裝: | 帶卷 (TR) |