分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSZ0902NSI品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

BSZ0902NSI • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
BSZ0902NSI Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8 5,000 5,000:$0.63707
10,000:$0.61073
25,000:$0.59396
50,000:$0.57480
BSC0902NSI Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON 9,667 1:$1.82000
10:$1.62900
25:$1.43720
100:$1.29330
250:$1.12564
500:$1.00590
1,000:$0.79035
2,500:$0.74245
BSZ0902NSI • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 21A
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.8 毫歐 @ 30A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 24nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1500pF @ 15V
功率 - 最大: 2.5W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TSDSON-8(3.3x3.3)
包裝: 帶卷 (TR)
電子產(chǎn)品資料
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