元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
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SI5440DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8 | 1,485 | 1:$0.66000 25:$0.46200 100:$0.39600 250:$0.34200 500:$0.29400 1,000:$0.22800 |
SI5440DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH D-S 30V 1206-8 | 0 | 3,000:$0.18600 6,000:$0.17400 15,000:$0.16200 30,000:$0.15300 75,000:$0.15000 150,000:$0.14400 |
類別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
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FET 型: | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門(mén) |
漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 6A |
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 19 毫歐 @ 9.1A,10V |
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): | 2.5V @ 250µA |
閘電荷(Qg) @ Vgs: | 29nC @ 10V |
輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 1200pF @ 10V |
功率 - 最大: | 6.3W |
安裝類型: | 表面貼裝 |
封裝/外殼: | 8-SMD,扁平引線 |
供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 1206-8 ChipFET? |
包裝: | 剪切帶 (CT) |