分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 BSC0906NS品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

BSC0906NS • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
BSC0906NS Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON 9,696 1:$1.30000
10:$1.16500
25:$1.02800
100:$0.92530
250:$0.80536
500:$0.71968
1,000:$0.56546
2,500:$0.53118
BSC0906NS Infineon Technologies MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON 5,000 5,000:$0.45579
10,000:$0.43694
25,000:$0.42495
50,000:$0.41124
IPB260N06N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 27A TO263-3 1,930 1:$1.13000
10:$1.01100
25:$0.89200
100:$0.80270
250:$0.69864
500:$0.62434
BSC0906NS • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 63A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 4.5 毫歐 @ 30A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 13nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 870pF @ 15V
功率 - 最大: 30W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PG-TDSON-8
包裝: 剪切帶 (CT)