分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI2300DS-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI2300DS-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI2300DS-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V SOT-23 0 3,000:$0.13950
6,000:$0.13050
15,000:$0.12150
30,000:$0.11475
75,000:$0.11250
150,000:$0.10800
SI2300DS-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 68 毫歐 @ 2.9A，4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 1.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 320pF @ 15V
功率 - 最大: 1.7W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-23-3（TO-236）
包裝: 帶卷 (TR)