半導(dǎo)體模塊 APTGT35H120T1G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)
APTGT35H120T1G • 品牌、價(jià)格
| 元器件型號(hào) |
廠商 |
描述 |
數(shù)量 |
價(jià)格 |
| APTGT35H120T1G |
Microsemi Power Products Group |
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1 |
0 |
14:$62.50857
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| APTGT35H120T3G |
Microsemi Power Products Group |
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3 |
0 |
14:$62.78857
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APTGT35H120T1G • PDF參數(shù)
| 類(lèi)別: |
半導(dǎo)體模塊
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| IGBT 類(lèi)型: |
溝道和場(chǎng)截止
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| 配置: |
全橋反相器
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| 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）: |
1200V
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| Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）: |
2.1V @ 15V，35A
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| 電流 - 集電極 (Ic)（最大）: |
55A
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| 電流 - 集電極截止（最大）: |
250µA
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| Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies): |
2.5nF @ 25V
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| 功率 - 最大: |
208W
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| 輸入: |
標(biāo)準(zhǔn)
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| NTC 熱敏電阻: |
是
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| 安裝類(lèi)型: |
底座安裝
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| 封裝/外殼: |
SP1
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: |
SP1
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