半導(dǎo)體模塊 MWI75-12T7T品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

MWI75-12T7T • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
MWI75-12T7T IXYS IGBT MOD TRENCH SIX-PACK E3 0 6:$116.00667
MWI75-12T7T • PDF參數(shù)
類別: 半導(dǎo)體模塊
IGBT 類型: 溝道
配置: 三相反相器
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大): 1200V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開): 2.15V @ 15V,75A
電流 - 集電極 (Ic)(最大): 110A
電流 - 集電極截止(最大): 4mA
Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies): 5.35nF @ 25V
功率 - 最大: 355W
輸入: 標(biāo)準(zhǔn)
NTC 熱敏電阻:
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: E2
供應(yīng)商設(shè)備封裝: E2