分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 NGB8207ABNT4G品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

NGB8207ABNT4G • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
NGB8207ABNT4G ON Semiconductor IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3 0 800:$1.34300
1,600:$1.23250
2,400:$1.14750
5,600:$1.10500
20,000:$1.06250
40,000:$1.04550
80,000:$1.02000
NGB8207ABNT4G ON Semiconductor IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3 800 1:$2.71000
10:$2.44800
25:$2.19320
100:$1.97200
250:$1.75100
NGB8207BNT4G ON Semiconductor IGBT IGNIT N-CH 20A 365V D2PAK-3 800 1:$2.71000
10:$2.44800
25:$2.19320
100:$1.97200
250:$1.75100
NGB8207ABNT4G • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
IGBT 類型: -
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）: 365V
Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）: 2.05V @ 4.5V，10A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）: 20A
功率 - 最大: 165W
輸入類型: 邏輯
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝: D2PAK
包裝: 帶卷 (TR)