分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 NE85633-T1B-R25-A品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

NE85633-T1B-R25-A • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
NE85633-T1B-R25-A CEL TRANSISTOR NPN 1GHZ SOT-23 6,000 3,000:$0.43400
6,000:$0.41200
15,000:$0.39500
30,000:$0.38400
75,000:$0.37200
NE85633-T1B-R25-A • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）: 12V
頻率 - 轉(zhuǎn)換: 7GHz
噪聲系數(shù)（dB典型值@頻率）: 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
增益: 9dB
功率 - 最大: 200mW
在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE): 50 @ 20mA，10V
電流 - 集電極 (Ic)（最大）: 100mA
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SOT-23
包裝: 帶卷 (TR)