分離式半導體產(chǎn)品 SSM6P47NU,LF品牌、價格、PDF參數(shù)

SSM6P47NU,LF • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SSM6P47NU,LF Toshiba MOSFET P CH 20V 4A 2-2Y1A 6,000 1:$0.79000
10:$0.68400
25:$0.61200
100:$0.54000
250:$0.46800
500:$0.39600
1,000:$0.31500
SSM6P47NU,LF Toshiba MOSFET P CH 20V 4A 2-2Y1A 6,000 1:$0.79000
10:$0.68400
25:$0.61200
100:$0.54000
250:$0.46800
500:$0.39600
1,000:$0.31500
SSM6P49NU,LF Toshiba MOSFET P CH 20V 4A 2-1Y1A 0 3,000:$0.26100
6,000:$0.24300
15,000:$0.23400
30,000:$0.22500
75,000:$0.22140
150,000:$0.21600
SSM6P49NU,LF Toshiba MOSFET P CH 20V 4A 2-1Y1A 0 1:$0.79000
10:$0.68400
25:$0.61200
100:$0.54000
250:$0.46800
500:$0.39600
1,000:$0.31500
SSM6P49NU,LF Toshiba MOSFET P CH 20V 4A 2-1Y1A 0 1:$0.79000
10:$0.68400
25:$0.61200
100:$0.54000
250:$0.46800
500:$0.39600
1,000:$0.31500
SSM6P47NU,LF • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導體產(chǎn)品
FET 型: 2 個 P 溝道（雙）
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 95 毫歐 @ 1.5A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）: 1V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 290pF @ 10V
功率 - 最大: 1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-WDFN 裸露焊盤
供應商設備封裝: 6-uDFN（2x2）
包裝: 剪切帶 (CT)