分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIZ710DT-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SIZ710DT-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SIZ710DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V POWERPAIR 0 3,000:$0.60200
6,000:$0.57190
15,000:$0.54825
30,000:$0.53320
75,000:$0.51600
SIZ710DT-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: 2 N 溝道（雙）共漏
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 16A，35A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 6.8 毫歐 @ 19A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 820pF @ 10V
功率 - 最大: 27W，48W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-PowerPair?
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-PowerPair?
包裝: 帶卷 (TR)