| 元器件型號(hào) | 廠商 | 描述 | 數(shù)量 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|
| SI5908DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 1206-8 | 0 | 3,000:$0.56000 6,000:$0.53200 15,000:$0.51000 30,000:$0.49600 75,000:$0.48000 |
| 類(lèi)別: | 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
|---|---|
| FET 型: | 2 個(gè) N 溝道（雙） |
| FET 特點(diǎn): | 邏輯電平門(mén) |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: | 4.4A |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 40 毫歐 @ 4.4A，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: | 1V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 7.5nC @ 4.5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | - |
| 功率 - 最大: | 1.1W |
| 安裝類(lèi)型: | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼: | 8-SMD，扁平引線(xiàn) |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝: | 1206-8 ChipFET? |
| 包裝: | 帶卷 (TR) |