分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 IRFHM8363TR2PBF品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

IRFHM8363TR2PBF • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
IRFHM8363TR2PBF International Rectifier MOSFET N CH DUAL 30V 11A PQFN 1,200 400:$0.58768
800:$0.55506
1,200:$0.52005
2,800:$0.49761
10,000:$0.45547
40,000:$0.43949
IRFHM8363TR2PBF • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: 2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 11A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 14.9 毫歐 @ 10A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.35V @ 25µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1165pF @ 10V
功率 - 最大: 2.7W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-PowerVDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-PQFN（3.3X3.3），Power33
包裝: 帶卷 (TR)