分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SI3932DV-T1-GE3品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SI3932DV-T1-GE3 • 品牌、價(jià)格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SI3932DV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V 6-TSOP 1,901 1:$0.66000
25:$0.51000
100:$0.45000
250:$0.39000
500:$0.33000
1,000:$0.26250
SI4511DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH D-S 20V 8-SOIC 2,500 2,500:$0.67200
5,000:$0.63840
12,500:$0.61200
25,000:$0.59520
62,500:$0.57600
SI7913DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK 14,229 1:$1.86000
25:$1.43120
100:$1.29850
250:$1.16600
500:$1.00700
1,000:$0.84800
SI7913DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK 14,229 1:$1.86000
25:$1.43120
100:$1.29850
250:$1.16600
500:$1.00700
1,000:$0.84800
SI3932DV-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: 2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 3.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 58 毫歐 @ 3.4A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 6nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 235pF @ 15V
功率 - 最大: 1.4W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-TSOP
包裝: Digi-Reel®