分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SH8M4TB1品牌、價(jià)格、PDF參數(shù)

SH8M4TB1 • 品牌、價(jià)格
元器件型號(hào) 廠商 描述 數(shù)量 價(jià)格
SH8M4TB1 Rohm Semiconductor MOSFET N+P 30V 9A/7A 8-SOIC 12,500 2,500:$0.73000
5,000:$0.70300
10,000:$0.67600
SH8M4TB1 Rohm Semiconductor MOSFET N+P 30V 9A/7A 8-SOIC 1,724 1:$2.51000
25:$1.98000
100:$1.78200
250:$1.55100
500:$1.38600
1,000:$1.08900
SH8M4TB1 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 9A，7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: 18 毫歐 @ 9A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）: 2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1190pF @ 10V
功率 - 最大: 2W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-SOICN
包裝: 帶卷 (TR)