分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 SIA533EDJ-T1-GE3品牌、價格、PDF參數(shù)

SIA533EDJ-T1-GE3 • 品牌、價格
元器件型號 廠商 描述 數(shù)量 價格
SIA533EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6 3,000 3,000:$0.20925
6,000:$0.19575
15,000:$0.18225
30,000:$0.17213
75,000:$0.16875
150,000:$0.16200
SIS902DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 75V 1212-8 PPAK 6,745 1:$0.90000
25:$0.69720
100:$0.61500
250:$0.53300
500:$0.45100
1,000:$0.35875
SI7232DN-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH D-S 20V 1212-8 PPAK 3,000 3,000:$0.33350
6,000:$0.31050
15,000:$0.29900
30,000:$0.28750
75,000:$0.28290
150,000:$0.27600
SI4228DY-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V 8-SOIC 2,500 2,500:$0.35000
5,000:$0.33250
12,500:$0.31875
25,000:$0.31000
62,500:$0.30000
SIA533EDJ-T1-GE3 • PDF參數(shù)
類別: 分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
FET 型: N 和 P 溝道
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 4.5A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 34 毫歐 @ 4.6A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 420pF @ 6V
功率 - 最大: 7.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: PowerPAK? SC-70-6 雙
供應(yīng)商設(shè)備封裝: PowerPAK? SC-70-6 雙
包裝: 帶卷 (TR)